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EPC2111

EPC2111

TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID
型号
EPC2111
制造商/品牌
系列
-
零件状态
Active
包装
Cut Tape (CT)
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
Die
功率 - 最大
-
供应商器件封装
Die
场效应晶体管类型
2 N-Channel (Half Bridge)
场效应晶体管特性
GaNFET (Gallium Nitride)
漏源电压 (Vdss)
30V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
16A (Ta)
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
19 mOhm @ 15A, 5V, 8 mOhm @ 15A, 5V
Vgs(th)(最大值)@Id
2.5V @ 5mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
230pF @ 15V, 590pF @ 15V
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