EPC2111
TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID
场效应晶体管类型
2 N-Channel (Half Bridge)
场效应晶体管特性
GaNFET (Gallium Nitride)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
16A (Ta)
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
19 mOhm @ 15A, 5V, 8 mOhm @ 15A, 5V
Vgs(th)(最大值)@Id
2.5V @ 5mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
230pF @ 15V, 590pF @ 15V
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