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EPC2110ENGRT

EPC2110ENGRT

TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE
型号
EPC2110ENGRT
制造商/品牌
系列
eGaN®
零件状态
Active
包装
Cut Tape (CT)
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
Die
功率 - 最大
-
供应商器件封装
Die
场效应晶体管类型
2 N-Channel (Dual) Common Source
场效应晶体管特性
GaNFET (Gallium Nitride)
漏源电压 (Vdss)
120V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
3.4A
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
60 mOhm @ 4A, 5V
Vgs(th)(最大值)@Id
2.5V @ 700µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
0.8nC @ 5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
80pF @ 60V
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