EPC2110
MOSFET 2NCH 120V 3.4A DIE
场效应晶体管类型
2 N-Channel (Dual) Common Drain
场效应晶体管特性
GaNFET (Gallium Nitride)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
3.4A
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
60 mOhm @ 4A, 5V
Vgs(th)(最大值)@Id
2.5V @ 700µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
0.8nC @ 5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
80pF @ 60V
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