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EPC2108ENGRT

EPC2108ENGRT

TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE
型号
EPC2108ENGRT
制造商/品牌
EPC
系列
eGaN®
零件状态
Active
包装
Digi-Reel®
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
9-VFBGA
功率 - 最大
-
供应商器件封装
9-BGA (1.35x1.35)
场效应晶体管类型
3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
场效应晶体管特性
GaNFET (Gallium Nitride)
漏源电压 (Vdss)
60V, 100V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
1.7A, 500mA
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
190 mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3 Ohm @ 2.5A, 5V
Vgs(th)（最大值）@Id
2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
22pF @ 30V, 7pF @ 30V
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